| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 700mV @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±12V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Micro8™ |
| ชุด: | FETKY™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.3W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 260pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 8nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 2.7V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 2.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
