| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Micro8™ |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 1.4A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1.25W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 210pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N and P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Logic Level Gate |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 2.7A, 2A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | IRF7509 |
| Email: | [email protected] |
