| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| เทคโนโลยี: | EEPROM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-TDFN-EP (3x3) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-WDFN Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kb (2K x 1) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | 1-Wire® |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | EEPROM |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | EEPROM Memory IC 2Kb (2K x 1) 1-Wire® 2µs 6-TDFN-EP (3x3) |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DS28E22 |
| เวลาในการเข้าถึง: | 2µs |
| Email: | [email protected] |
