| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| Tecnología: | EEPROM |
| Paquete del dispositivo: | 6-TDFN-EP (3x3) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2Kb (2K x 1) |
| Interfaz de memoria: | 1-Wire® |
| Formato de memoria: | EEPROM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | EEPROM Memory IC 2Kb (2K x 1) 1-Wire® 2µs 6-TDFN-EP (3x3) |
| Número de pieza base: | DS28E22 |
| Tiempo de acceso: | 2µs |
| Email: | [email protected] |
