| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 900V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 3.1V @ 15V, 38A |
| ทดสอบสภาพ: | 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 18ns/131ns |
| การสลับพลังงาน: | 1192µJ (on), 1088µJ (off) |
| ชุด: | POWER MOS 8™ |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 500W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 Variant |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 29 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | PT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 162nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 193A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 117A |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | การสอบสวน |
 |
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT60M80JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | การสอบสวน |
 |
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | การสอบสวน |
|
APT60M80L2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | การสอบสวน |
|
APT60N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT60N60SCSG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT60N60SCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | การสอบสวน |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | การสอบสวน |
|
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | การสอบสวน |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | การสอบสวน |
|
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | การสอบสวน |
 |
APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | การสอบสวน |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | การสอบสวน |