| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.9V @ 3mA |
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D3Pak |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 44A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 431W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 7200pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Super Junction |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60M80JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | การสอบสวน |
|
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT60N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | การสอบสวน |
 |
APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | การสอบสวน |
 |
APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT60M75JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | การสอบสวน |
 |
APT60M75JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT60M75JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT60M75JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT60M80L2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | การสอบสวน |
|
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | การสอบสวน |
 |
APT60N60SCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT60M75L2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | การสอบสวน |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | การสอบสวน |
 |
APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | การสอบสวน |
|
APT60M75L2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | การสอบสวน |
|
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | การสอบสวน |