| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-92-3 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 740mW (Ta) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 14 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 300pF @ 25V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | P-Channel 30V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 650mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
