| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V, 12V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Тип транзистор: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Поставщик Упаковка устройства: | UMT6 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 2.2 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 2.2 kOhms |
| Мощность - Макс: | 150mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 250MHz, 260MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
