| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 400V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 500mA, 2.5A |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-251 (IPAK) |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 35W |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | - |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 35W Through Hole TO-251 (IPAK) |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 17 @ 1A, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 250µA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 4A |
| Email: | [email protected] |
