STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP
Тип продуктов:
STQ2NK60ZR-AP
производитель:
STMicroelectronics
Описание:
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
66426 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
STQ2NK60ZR-AP.pdf

Введение

STQ2NK60ZR-AP лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором STQ2NK60ZR-AP, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для STQ2NK60ZR-AP по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-92-3
Серии:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 Ohm @ 700mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):3W (Tc)
упаковка:Tape & Box (TB)
Упаковка /:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Другие названия:497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:170pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:10nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:400mA (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости