| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | H2Pak-2 |
| Серии: | STripFET™ F3 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 26A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 110W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 38 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1900pF @ 400V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 18.5nC @ 5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Подробное описание: | N-Channel 100V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
