SQS850EN-T1_GE3
SQS850EN-T1_GE3
Тип продуктов:
SQS850EN-T1_GE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
Количество:
73489 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
SQS850EN-T1_GE3.pdf

Введение

SQS850EN-T1_GE3 лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором SQS850EN-T1_GE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SQS850EN-T1_GE3 по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® 1212-8
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):33W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:PowerPAK® 1212-8
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:2021pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:41nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):60V
Подробное описание:N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости