| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Тип транзистор: | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 47 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 47 kOhms |
| Мощность - Макс: | 246mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Другие названия: | SMMUN2113LT1G-ND SMMUN2113LT1GOSTR |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 36 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Номер базового номера: | MMUN21**L |
| Email: | [email protected] |
