SIRA18DP-T1-RE3
Тип продуктов:
SIRA18DP-T1-RE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
Количество:
62490 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
SIRA18DP-T1-RE3.pdf

Введение

SIRA18DP-T1-RE3 лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором SIRA18DP-T1-RE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SIRA18DP-T1-RE3 по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (макс.):+20V, -16V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® SO-8
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):14.7W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:PowerPAK® SO-8
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1000pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:21.5nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):30V
Подробное описание:N-Channel 30V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости