SIR182DP-T1-RE3
SIR182DP-T1-RE3
Тип продуктов:
SIR182DP-T1-RE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
25858 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
SIR182DP-T1-RE3.pdf

Введение

SIR182DP-T1-RE3 лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором SIR182DP-T1-RE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SIR182DP-T1-RE3 по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:3.6V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® SO-8
Серии:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):69.4W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:PowerPAK® SO-8
Другие названия:SIR182DP-T1-RE3TR
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:3250pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:64nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):60V
Подробное описание:N-Channel 60V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости