| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5.6V @ 18.2mA |
| Vgs (макс.): | +22V, -4V |
| Технологии: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-247N |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 339W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 |
| Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2208pF @ 500V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 133nC @ 18V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Подробное описание: | N-Channel 650V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 93A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
