| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±8V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | DFN1010D-3 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Другие названия: | 1727-1475-2 568-10946-2 568-10946-2-ND 934067145147 PMXB40UNE PMXB40UNEZ-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 556pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 11.6nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 12V |
| Подробное описание: | N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS5C404NLAFT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN | запрос |
 |
PMXB65UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | запрос |
|
PMXB120EPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 | запрос |
|
PMXB43UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G | запрос |
|
PMXB40UNE | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | запрос |
|
PMXB120EPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | запрос |
|
PMXB56EN | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | запрос |
|
PMXB350UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN | запрос |
|
PMXB65ENEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | запрос |
|
PMXB360ENEAZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | запрос |
|
PMXB350UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 | запрос |
|
PMXB75UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G | запрос |
 |
RSS090P03FU7TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC | запрос |
 |
IRF3711ZSTRRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK | запрос |
|
PMXB56EN | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | запрос |
|
PMXB43UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN | запрос |
|
PMXB120EPE | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | запрос |
|
PMXB56ENZ | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G | запрос |
|
PMXB360ENEAZ | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN | запрос |
|
PMXB40UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | запрос |