| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Тип транзистор: | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства: | DFN1006B-3 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 22 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 22 kOhms |
| Мощность - Макс: | 250mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 3-XFDFN |
| Другие названия: | 934065923315 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 230MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 100nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Номер базового номера: | PDTC124 |
| Email: | [email protected] |
