| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Тип транзистор: | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-236AB (SOT23) |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 10 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 1 kOhms |
| Мощность - Макс: | 250mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Другие названия: | 1727-1701-2 568-11241-2 568-11241-2-ND 934058979215 PDTB113ZT T/R PDTB113ZT T/R-ND PDTB113ZT,215-ND |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 500mA |
| Номер базового номера: | PDTB113 |
| Email: | [email protected] |
