| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | ATPAK |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 90W (Tc) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Стандартное время изготовления: | 42 Weeks |
| Свободный свинец: | Lead free |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 8040pF @ 40V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 80V |
| Подробное описание: | N-Channel 80V 175A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount ATPAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 175A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
