русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV
Тип продуктов:
IXTA1R6N100D2HV
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH
Количество:
64814 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXTA1R6N100D2HV.pdf
запрос

Введение

IXTA1R6N100D2HV лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором IXTA1R6N100D2HV, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IXTA1R6N100D2HV по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-263HV
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 Ohm @ 800mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс):100W (Tc)
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:645pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:27nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):0V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.6A (Tj)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXTA1R6N100D2HV

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXTA200N085T7 Image IXTA200N085T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7 запрос
IXTA1N100 Image IXTA1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 запрос
IXTA18P10T Image IXTA18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 запрос
IXTA20N65X Image IXTA20N65X IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 20A TO-263 запрос
IXTA200N075T Image IXTA200N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 запрос
IXTA200N055T2 Image IXTA200N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 запрос
IXTA200N075T7 Image IXTA200N075T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 запрос
IXTA1N100P Image IXTA1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 запрос
IXTA1R6N100D2 Image IXTA1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK запрос
IXTA1R4N120P Image IXTA1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 запрос
IXTA1N200P3HV Image IXTA1N200P3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV запрос
IXTA220N04T2-7 Image IXTA220N04T2-7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7 запрос
IXTA1R6N50D2 Image IXTA1R6N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK запрос
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 запрос
IXTA220N055T7 Image IXTA220N055T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 запрос
IXTA200N085T Image IXTA200N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 запрос
IXTA1N170DHV Image IXTA1N170DHV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 запрос
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 запрос
IXTA220N055T Image IXTA220N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 220A TO-263 запрос
IXTA1N120P Image IXTA1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 запрос

Latest Новости