| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | I-PAK |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 75W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Другие названия: | *IRLU7821PBF SP001568646 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1030pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | N-Channel 30V 65A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 65A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
