| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±16V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220AB |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 166 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 80W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Другие названия: | *IRL3215 SP001558002 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 775pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 35nC @ 5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 150V |
| Подробное описание: | N-Channel 150V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
