| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220AB Full-Pak |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | - |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 Full Pack |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Подробное описание: | P-Channel 100V 7.7A (Ta) Through Hole TO-220AB Full-Pak |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 7.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
