| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | D2PAK |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | *IRF9520NS |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Подробное описание: | P-Channel 100V 6.8A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 6.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
