| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±8V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-SO |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14 mOhm @ 11.5A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.5W (Ta) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Другие названия: | *IRF7420 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 3529pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 12V |
| Подробное описание: | P-Channel 12V 11.5A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
