| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (макс.): | ±16V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO251-3 |
| Серии: | CoolMOS™ P7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 43.1W (Tc) |
| Упаковка /: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Другие названия: | IPSA70R600P7S SP001664806 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 364pF @ 400V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 10.5nC @ 400V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 700V |
| Подробное описание: | N-Channel 700V 8.5A (Tc) 43.1W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 8.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
