IPB65R190C7ATMA1
IPB65R190C7ATMA1
Тип продуктов:
IPB65R190C7ATMA1
производитель:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET N-CH TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
65434 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IPB65R190C7ATMA1.pdf

Введение

IPB65R190C7ATMA1 лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором IPB65R190C7ATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IPB65R190C7ATMA1 по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 290µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:D²PAK (TO-263AB)
Серии:CoolMOS™ C7
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 5.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):72W (Tc)
упаковка:Original-Reel®
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия:IPB65R190C7ATMA1DKR
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1150pF @ 400V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:23nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):650V
Подробное описание:N-Channel 650V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости