| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Поставщик Упаковка устройства: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Серии: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 100A, 10V |
| Мощность - Макс: | 170W |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 28 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 10500pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 178nC @ 10V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Характеристика: | Standard |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 75V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 75V 120A 170W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 120A |
| Email: | [email protected] |
