русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN90H8D5HCT
DMN90H8D5HCT
Тип продуктов:
DMN90H8D5HCT
производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Содержит совместимость с RoHS / RoHS
Количество:
56428 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
DMN90H8D5HCT.pdf
запрос

Введение

DMN90H8D5HCT лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором DMN90H8D5HCT, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для DMN90H8D5HCT по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-220AB
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):125W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-220-3
Другие названия:DMN90H8D5HCT-ND
DMN90H8D5HCTDI
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):Not Applicable
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:470pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:7.9nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):900V
Подробное описание:N-Channel 900V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для DMN90H8D5HCT

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DMN7022LFGQ-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333 запрос
DMN67D8LDW-7 Image DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 запрос
DMN90H2D2HCTI Image DMN90H2D2HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB запрос
DMNF1-285-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN7022LFGQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333 запрос
DMN95H8D5HCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB запрос
DMN7022LFG-7 Image DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 запрос
DMNF1-288-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN95H8D5HCTI Image DMN95H8D5HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB запрос
DMN67D8LDW-13 Image DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 запрос
DMN67D8LW-13 Image DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT323 запрос
DMN80H2D0SCTI Image DMN80H2D0SCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB запрос
DMNF1-288FIB-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN7022LFG-13 Image DMN7022LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 запрос
DMNF1-285FIB-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMNF1-288FIB-3K Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN67D8LW-7 Image DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT323 запрос
DMNF1-285FIB-3K Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN95H2D2HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB запрос
DMN90H8D5HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB запрос

Latest Новости