| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-3PB |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13 Ohm @ 1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.5W (Ta), 110W (Tc) |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 380pF @ 30V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 37.5nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 1500V |
| Подробное описание: | N-Channel 1500V 2A (Ta) 2.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-3PB |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
