| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 400mV @ 150mA, 3A |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | TP |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 1W |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Другие названия: | 2SD1803S-E-ND 2SD1803S-EOS |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 4 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 180MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 180MHz 1W Through Hole TP |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 140 @ 500mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 1µA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 5A |
| Номер базового номера: | 2SD1803 |
| Email: | [email protected] |
