ZXMC6A09DN8TA
ZXMC6A09DN8TA
Modelo do Produto:
ZXMC6A09DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
72445 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
ZXMC6A09DN8TA.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:45 mOhm @ 8.2A, 10V
Power - Max:1.8W
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:ZXMC6A09DN8TADKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1407pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24.2nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.9A, 3.7A
Email:[email protected]

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