W949D6DBHX5E
W949D6DBHX5E
Modelo do Produto:
W949D6DBHX5E
Fabricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrição:
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
76521 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
W949D6DBHX5E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:15ns
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR
Embalagem do dispositivo fornecedor:60-VFBGA (8x9)
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:60-TFBGA
Temperatura de operação:-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:512Mb (32M x 16)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
Freqüência de relógio:200MHz
Tempo de acesso:5ns
Email:[email protected]

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