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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNRL11100A
UNRL11100A
UNRL11100A
Modelo do Produto:
UNRL11100A
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 150MW ML4-N1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
65191 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
UNRL11100A.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:ML4-N1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:150mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-103
Outros nomes:UNRL11100ACT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount ML4-N1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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Observações

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