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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR911MJ0L
UNR911MJ0L
UNR911MJ0L
Modelo do Produto:
UNR911MJ0L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
48026 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
UNR911MJ0L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SSMini3-F1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:125mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-89, SOT-490
Outros nomes:UNR911MJ0LCT
UNR911MJCT
UNR911MJCT-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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