UMB4NFHATN
Modelo do Produto:
UMB4NFHATN
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
86737 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.UMB4NFHATN.pdf2.UMB4NFHATN.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT6
Série:Automotive, AEC-Q101
Power - Max:150mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:UMB4NFHATNDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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