TPN3300ANH,LQ
TPN3300ANH,LQ
Modelo do Produto:
TPN3300ANH,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
75026 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TPN3300ANH,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta), 27W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPN3300ANHLQDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:880pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
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