TPC8126,LQ(CM
Modelo do Produto:
TPC8126,LQ(CM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
54762 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.TPC8126,LQ(CM.pdf2.TPC8126,LQ(CM.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 500µA
Vgs (Max):+20V, -25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP (5.5x6.0)
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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