TK39N60W,S1VF
TK39N60W,S1VF
Modelo do Produto:
TK39N60W,S1VF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
59568 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TK39N60W,S1VF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 1.9mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 19.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):270W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:TK39N60W,S1VF(S
TK39N60WS1VF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:38.8A (Ta)
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