TK31A60W,S4VX
TK31A60W,S4VX
Modelo do Produto:
TK31A60W,S4VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
69383 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TK31A60W,S4VX.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:88 mOhm @ 15.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

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