STV200N55F3
STV200N55F3
Modelo do Produto:
STV200N55F3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
54820 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
STV200N55F3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:10-PowerSO
Série:STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Outros nomes:497-7028-1
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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