STS10P4LLF6
STS10P4LLF6
Modelo do Produto:
STS10P4LLF6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
59503 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
STS10P4LLF6.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:STripFET™ F6
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.7W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:497-15483-2
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3525pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:P-Channel 40V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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