| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK |
| Série: | MDmesh™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.1 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 60W (Tc) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 497-17069-1 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 173pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 900V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 900V 3A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
