SSM6N58NU,LF
SSM6N58NU,LF
Modelo do Produto:
SSM6N58NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
48233 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SSM6N58NU,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-UDFN (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:84 mOhm @ 2A, 4.5V
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:SSM6N58NU,LF(B
SSM6N58NU,LF(T
SSM6N58NULF
SSM6N58NULFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:129pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 1.8V Drive
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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