SSM6J206FE(TE85L,F
SSM6J206FE(TE85L,F
Modelo do Produto:
SSM6J206FE(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
53877 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.SSM6J206FE(TE85L,F.pdf2.SSM6J206FE(TE85L,F.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6 (1.6x1.6)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:130 mOhm @ 1A, 4V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FETE85LF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:335pF @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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