| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | CST3 |
| Série: | π-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipação de energia (Max): | 100mW (Ta) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SC-101, SOT-883 |
| Outros nomes: | SSM3J16CT(TPL3)CT |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 3V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
