SIZ700DT-T1-GE3
SIZ700DT-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIZ700DT-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
68923 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIZ700DT-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-PowerPair™
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.6 mOhm @ 15A, 10V
Power - Max:2.36W, 2.8W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-PowerPair™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A
Email:[email protected]

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