SIHP6N80E-GE3
SIHP6N80E-GE3
Modelo do Produto:
SIHP6N80E-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
50344 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIHP6N80E-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:E
RDS ON (Max) @ Id, VGS:940 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):78W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:827pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição detalhada:N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.4A (Tc)
Email:[email protected]

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