SIA411DJ-T1-E3
SIA411DJ-T1-E3
Modelo do Produto:
SIA411DJ-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
73155 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIA411DJ-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SC-70-6 Single
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SC-70-6
Outros nomes:SIA411DJ-T1-E3TR
SIA411DJT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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